![[höher]](/style/images/multi_up.png)
Eine Ebene höherGruppiert nach:
Dokumententyp
| Veröffentlichungsdatum
Springe zu: Zeitschriftenartikel
Anzahl der Publikationen: 5
Zeitschriftenartikel
Becker, J.; Morkoetter, S.; Treu, J.; Sonner, M.; Speckbacher, M.; Doeblinger, M.; Abstreiter, G.; Finley, J. J. und Koblmüller, G.
(2018):
Carrier trapping and activation at short-period wurtzite/zinc-blende stacking sequences in polytypic InAs nanowires.
In: Physical Review B, Bd. 97, Nr. 11, 115306
Stettner, T.; Thurn, A.; Doeblinger, M.; Hill, M. O.; Bissinger, J.; Schmiedeke, P.; Matich, S.; Kostenbader, T.; Ruhstorfer, D.; Riedl, H.; Kaniber, M.; Lauhon, L. J.; Finley, J. J. und Koblmüller, G.
(2018):
Tuning Lasing Emission toward Long Wavelengths in GaAs-(In,Al)GaAs Core-Multishell Nanowires.
In: Nano Letters, Bd. 18, Nr. 10: S. 6292-6300
Beleckaite, I.; Treu, J.; Morkoetter, S.; Doeblinger, M.; Xu, X.; Adomavicius, R.; Finley, J. J.; Koblmüller, G. und Krotkus, A.
(2017):
Enhanced THz emission efficiency of composition-tunable InGaAs nanowire arrays.
In: Applied Physics Letters, Bd. 110, Nr. 20, 201106
Stettner, T.; Zimmermann, P.; Loitsch, B.; Döblinger, M.; Regler, A.; Mayer, B.; Winnerl, J.; Matich, S.; Riedl, H.; Kaniber, M.; Abstreiter, G.; Koblmüller, G. und Finley, J. J.
(2016):
Coaxial GaAs-AlGaAs core-multishell nanowire lasers with epitaxial gain control.
In: Applied Physics Letters, Bd. 108, Nr. 1, 11108
Treu, J.; Speckbacher, M.; Saller, K.; Morkötter, S.; Döblinger, M.; Xu, X.; Riedl, H.; Abstreiter, G.; Finley, J. J. und Koblmüller, G.
(2016):
Widely tunable alloy composition and crystal structure in catalyst-free InGaAs nanowire arrays grown by selective area molecular beam epitaxy.
In: Applied Physics Letters, Bd. 108, Nr. 5, 53110